| 半絕緣碳化硅晶錠廠(chǎng)商 4H-SI型碳化硅襯底工廠(chǎng) |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：本地 |
| 最少起訂量：1毫米 | 發(fā)貨地：江蘇蘇州市 | |
| 上架時(shí)間：2022-11-11 11:52:18 | 瀏覽量：188 | |
蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
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| 經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)加工 | 公司類(lèi)型：私營(yíng)有限責(zé)任公司 | |
| 所屬行業(yè)：集成電路/IC | 主要客戶(hù)：全國(guó) | |
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半絕緣碳化硅晶錠廠(chǎng)商 4H-SI型碳化硅襯底工廠(chǎng) 蘇州恒邁瑞材料科技生產(chǎn)供應(yīng)半絕緣型碳化硅晶棒，產(chǎn)品尺寸為4英寸或者6英寸。晶向：On axis : <0001>±0.5°。晶棒厚度平均為20mm。同時(shí)也提供半絕緣型碳化硅襯底晶片，厚度為500um。 SiC材料開(kāi)關(guān)損耗極低，全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗大大低于同等IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗，而且開(kāi)關(guān)頻率越高，與IGBT模塊之間的損耗差越大，這就意味著對(duì)于IGBT模塊不擅長(zhǎng)的高速開(kāi)關(guān)工作，全SiC功率模塊不僅可以大幅降低損耗還可以實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)。SiC材料具備更低的通態(tài)電阻，阻值相同的情況下可以縮小芯片的面積，SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度，承受的溫度相對(duì)Si更高；SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導(dǎo)率，而硅材料的熱導(dǎo)率僅有1.5W/cm/K，更高的熱導(dǎo)率可以帶來(lái)功率密度的顯著提升，同時(shí)散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，或者直接采用自然冷卻。 |
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